Sheng-Shong Wong, Zhen-You Lin, Sheng-Zhu Ho, Chih-En Hsu, Ping-Hung Li, Ching-Yu Chen, Yen-Fu Huang, Kuo-En Chang, Yu-Chiang Hsieh, Chia-Hao Chen, Ming-Hao Lee, Ming-Wen Chu, Kuang-I Lin, Tse-Ming Chen, Yi-Chun Chen, Hung-Chung Hsueh薛宏中(淡江大學物理系), Cheng-Maw Cheng, Chung-Lin Wu
相關報導: https://advanced.onlinelibrary.wiley.com/doi/10.1002/adma.202414442
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本研究透過分子束磊晶 (MBE) 技術，在石墨烯/SiC 基板上成長了層數可控的 h-BN 薄膜，並利用同步輻射光譜 (ARPES) 和第一原理基態(密度泛函理論DFT)與激發態(GW多體微擾修正)計算驗證其層間極化機制。研究發現 h-BN/石墨烯異質界面的莫爾(Moire)超晶格導致自發極化，而層間滑移可實現可逆極化切換，證明其鐵電特性。這項成果為二維鐵電材料的異質外延與可調控電子元件應用提供了新契機。透過與頂大(成功大學、台灣大學)實驗團隊及國家同步輻射研究中心合作，展現淡江大學物理系在理論與實驗研究的整合能力，並提供學生參與國際尖端研究的機會。